Silīcija karbīda siltumvadošs materiāls

SiC materiālu, tāpat kā vairuma dielektrisko cietvielu, siltumvadītspēju galvenokārt ietekmē termoelastīgo viļņu (saukto par fononiem) pārraide. SiC materiālu siltumvadītspēja galvenokārt ir atkarīga no: 1) saķepināšanas palīglīdzekļu daudzuma, stehiometriskās attiecības, ķīmiskajām īpašībām un ar to saistītā graudu robežas biezuma un kristāliskuma; 2) Graudu izmērs; 3) piemaisījumu atomu veidi un koncentrācijas SiC kristālos; 4) Saķepināšanas atmosfēra; 5) Termiskā apstrāde pēc saķepināšanas utt. SiC ir lieliskas īpašības, piemēram, augsta siltumvadītspēja, liels joslas platums, augsts elektronu piesātinājuma migrācijas ātrums un augsts kritiskais elektriskais lauks. Tā lieliskā visaptverošā veiktspēja kompensē tradicionālo pusvadītāju materiālu un ierīču trūkumus praktiskā lietošanā, un tai ir plašas pielietojuma iespējas tādās jomās kā elektriskie transportlīdzekļi un mobilo sakaru mikroshēmas. Pateicoties tā augstākai uzticamībai, augstākai darba temperatūrai, mazākam izmēram un lielākai sprieguma izturībai, SiC var izmantot barošanas ierīcēm, piemēram, galvenajām piedziņas paneļiem, iebūvētajiem lādētājiem un jaudas moduļiem, ievērojami uzlabojot efektivitāti un palielinot elektrisko transportlīdzekļu izturību. . Tajā pašā laikā SiC ir laba siltumvadītspēja, un SiC pusvadītāju jaudas ierīču izmantošana var samazināt akumulatora izmēru un efektīvāk pārveidot enerģiju, tādējādi samazinot montāžas ierīču izmaksas. SiC keramikai kā augstas veiktspējas strukturālam keramikas materiālam ir lieliskas termiskās īpašības, un to var plaši izmantot augstas temperatūras izturības, apkures un siltuma apmaiņas rūpniecības jomās.